2016 年取代 LPDDR3，SK Hynix 完成 8Gb LPDDR4 行動裝置用記憶體開發

不願輸給 Samsung，SK Hynix 已經開發行動裝置用的 LPDDR4 記憶體。

SK Hynix 發佈新聞稿確認，該公司已經開發行動裝置用的 8Gb（Gigabit）LPDDR4 記憶體，而同樣身為 DRAM 三大供應商之一的 Samsung 則是在 30 日宣布。

與 Samsung 相同，SK Hynix 的 8Gb LPDDR4 記憶體同樣屬於 20nm 製程，電壓在 1.1V，另外傳輸速率每秒可以達 3200Mbps。

新聞稿中強調，全新介面的 LPDDR4 記憶體將會在 2014 年底開始被採用，2015 年陸續取代目前的 LPDDR3，而預期 2016 年可以在所有的行動裝置上見到。

引用來源：http://chinese.vr-zone.com/96442/expected-replace-lpddr3-at-2016-sk-hynix-develops-8gb-lpddr4-memory-after-samsung-01012014/