完成 8Gb LPDDR4 開發，Samsung 行動記憶體再度領先 SK Hynix

走得有點快，Samsung 宣布已經完成業界 8Gb LPDDR4 mobile 記憶體的開發。

Samsung 除了領先 SK Hynix 率先推出 3GB 大小的 mobile 記憶體外，現在也率先 SK Hynix 完成 8Gb（Gigabit）LPDDR4 mobile 記憶體的開發。

8Gb LPDDR4 mobile 記憶體採用的是 Samsung 20nm 等級的製程，最大可以在一顆晶片（die）上提供 1GB 大小的容量，而這也是業界目前最大的容量。

新的 8Gb LPDDR4 mobile 記憶體將會使用 LVSTL I/O 介面（Low Voltage Swing Terminated Logic），而這也是 Samsung 與 JEDEC 合作製定的 LPDDR4 中的其中一項規範。擁有這個全新的介面之後，LPDDR4 將能夠在每 pin 擁有高達 3,200 Mbps 的傳輸率，相較於目前 20nm 製程的 LPDDR3，要快上 2 倍之多。

另一方面，LPDDR4 將會比 LPDDR3 更省電，主要是其額定電壓爲 1.1V。

8Gb 的 LPDDR4 預期將會在 2014 年進入量產階段。

引用來源：http://chinese.vr-zone.com/96293/samsung-lead-ahead-sk-hynix-for-8gb-lpddr-mobile-dram-12302013/